Micro LED在未来世代的智能显示器中扮演着重要的角色，他们在许多应用中都显得非常具有吸引力，例如无光罩式微影、生物传感器、AR/MR等等。我们迫切需要一款能够实现饱和色彩渲染、高显示分辨率和快速响应时间的显示器，而Micro LED技术可能是满足这些需求的最佳选择。
目前，半导体RGB Micro LED芯片和色彩转换Micro LED是实现全彩高解析显示器的主要竞争者。这两种方法都需要革命性的方式来完善材料质量、制程设备，以及将各个部件组装成一个系统。
日前，台大、阳明交大、鸿海研究院、台工研院等单位携手UCSB、UCF、KAUST等海外名校，其中也不乏包含了2014年诺贝尔物理学奖得主—Nakamura教授、台中研院吴诗聪院士、Micro LED技术领导厂商PlayNitride，一同完成撰写了一篇集大成的Micro LED roadmap文章。文中强调Micro LED相关问题的现状与挑战，并讨论可以应对这些挑战的科技。
在磊晶技术方面的创新，例如穿隧接面(tunnel junction)、直接磊晶(direct epitaxy)、以及红光和紫外光的氮化物(nitride-based)量子井，能够为Micro LED的性能提供重要的解决方法。另外，奈米线或奈米柱等量子尺度的结构对设备的缩放至关重要。
与此同时，以胶体量子点(colloidal quantum dots)为主动材料的色彩转换方法，为大型Micro LED阵列的组装提供一种简便的解决方案，同时通过胶体量子点的应用实现全彩显示。这些量子点可以通过多孔结构、喷墨技术或感光性树脂进行图案化。
除了Micro LED设备本身，外围元件和技术也同样重要。微芯片的转移和修复、与电子元件的异质整合、以及新型的二维材料都是不容忽视的因素，否则整个显示模块将会耗费大量电力。AR技术是Micro LED显示器的潜在客户之一，但由于缺乏真正合格的显示器，迄今为止的用户体验仍然受到限制。
这份对Micro LED roadmap的分析表明了，Micro LED技术正朝着解决当前问题的方向不断发展，所有这些努力都致力于满足我们最严格的观看需求，实现一款具备理想特性的高效显示器。期望Micro LED成为我们日常生活中不可或缺的一部分。
