SiC方面,目前,三安光电电动汽车主驱用的车规级1200V/16mΩ SiC MOSFET攻克了可靠性问题并通过AEC-Q101标准,已在重点新能源汽车客户模块验证中;工规级1700V/1Ω和1200V/32mΩ SiC MOSFET已在光伏及充电桩领域小规模出货。公司将加快推出8英寸SiC衬底外延、高效高可靠性SiC二极管及2000V/1700V/1200V/650V全系列SiC MOSFET产品。
值得一提的是,上个月在2024北京车展上,三安光电展示了最新研发成果——1200V 8mΩ SiC MOSFET。据介绍,这款产品是三安光电目前MOS 1200V电压平台最小导通电阻、最大额定电流产品。该产品采用符合RoHS标准的元件,车规应用符合AEC-Q101标准。